苹果iPhone 16系列或将采用QLC NAND闪存,存储容量大但速度受质疑


快科技在1月17日的报道中,提到了苹果最新一代手机产品的存储技术可能发生重大变化。业内传出消息,苹果公司的iPhone 16系列可能会选择使用速度更慢的QLC(四层单元)NAND闪存,而非此前的TLC(三层单元)NAND闪存。这一改变将会影响存储容量达到或超过1TB模型的iPhone 16手机。

TLC NAND闪存是目前智能手机中广泛使用的存储技术,每个存储单元可以存储三位数据,而最新的QLC NAND闪存则可以储存四位数据。这种存储单元的增加意味着,在使用相同数量的存储单元时,可以储存更多的数据,或者在储存相同量的数据时,可以使用更少量的存储单元,从而有望降低生产成本。这对于Apple来说是个吸引人的经济优势,尤其是在高存储容量需求的消费者市场。

然而,QLC闪存也具有自身的缺点。它的寿命和性能往往不如TLC闪存。由于每个存储单元承载的数据位更多,这就意味着单元内部的写入次数会增加,导致其耐久性降低。此外,QLC NAND闪存可以存储16种不同电荷电平,而TLC闪存仅能存储8种。在读取数据的过程中,由于存储的电荷量更多,可供区分的电荷差异会减小,裕量降低,容易因噪声的增大使得位错误率升高。

针对这些技术层面的担忧,业内人士普遍认为,苹果采用QLC闪存将会是对性能和可靠性的一次折中。尽管潜在的成本优势可能对苹果来说具有吸引力,但这可能会影响旗舰级别机型的用户体验。用户可能会遇到一个现实情况:高存储容量的iPhone 16机型在数据写入速度上会落后于较低存储容量的机型。

如果苹果继续执行该计划,未来的消费者在选择高容量iPhone时可能需要权衡存储空间和手机性能之间的关系。对于那些追求极致性能和极速写入体验的用户来说,这项变化可能是他们需要重新考虑的一个因素。

尽管QLC闪存技术在持续发展和改进,其未来的市场表现仍有很大的不确定性。苹果公司是否会为了成本效益而牺牲一定的性能,还是会继续坚持使用TLC闪存以保持其产品的高性能水准,仍然是一个悬而未决的问题。在这场存储技术的更新换代中,苹果的抉择将深刻影响着整个智能手机行业的发展方向以及消费者的消费选择。